Наибольшее практическое применение получили четырёхслойные структуры; они используются в электротехнической промышленности, в силовой и преобразовательной технике (где они вытеснили громоздкие и ненадёжные тиратроны) и в электронике. Широкое распространение получил и двухбазовый диод, на основе которого создаются релаксационные генераторы и линии задержки. В перспективе — использование четырёхслойных структур и однопереходных транзисторов в микроэлектронике.
Вводя в полупроводник примеси, создающие глубоколежащие энергетические уровни в запрещенной зоне, значительно повышают его сопротивление. При протекании тока первоначальное низкое сопротивление восстанавливается (компенсируется), причём часто повышение проводимости полупроводника сопровождается понижением падения напряжения на нём в то время, как ток растет. Это и обусловливает S-oбразную вольтамперную характеристику. Известны S-п. на компенсированных Si, Ge, GaAs и др. материалах. В большинстве случаев переход от высокого сопротивления к низкому сопровождается шнурованием тока, т. е. уменьшением поперечного сечения токового канала. Шнурование тока имеет место (в пренебрежении собственными магнитными полями тока) только в S-п. Например, в S-диодах из Si, компенсированного кадмием, удалось наблюдать скачкообразное уменьшение диаметра сечения токового канала от 400 мкм до 80—100 мкм. Шнурование тока наблюдается в компенсированном Ge, четырёхслойных структурах и т. д. С увеличением тока шнур расширяется так, что плотность тока в нём остаётся постоянной. При этом шнур может занять всю площадь контакта, как бы велика она ни была. Шнур может перемещаться как целое (например, в магнитном поле), не меняя величины поперечного сечения. Обе особенности указывают на возможности практического использования S-п. для создания коммутаторов и переключателей тока высокой надёжности.
S-п. имеют по крайней мере 2 устойчивых состояния. Это позволяет создавать на их основе нейристоры, представляющие собой электронную модель окончания нервной клетки — аксона. В S-п., созданных на основе компенсированного CaAs, наблюдается свечение при переходе прибора из высокоомного состояния в низкоомное. Т. е., S-п. может быть управляемым источником света.
Находят применение также тетристоры. Возможно управление тетристорами при помощи падающего на них пучка света.
Лит.: Лосев О. В., Детектор-генератор, детектор-усилитель, «Телефония и телеграфия без проводов», 1922, № 14; Гаряинов С. А., Абезгауз И. Д., Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением, М., 1970; Полупроводниковые приборы и их применение. Сб. ст., под ред. Я. А. Федотова, в. 19, М., 1968; то же, в. 25, М., 1971; Стафеев В. И., Модуляция длины диффузионного смещения как новый принцип действия полупроводниковых приборов, «физика твердого тела», 1959, т. 1, в. 6; Волков А. Ф., Коган Ш. М., Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью, «Успехи физических наук», 1968, т. 96, в. 1.
Г. М. Авакьянц.
Рис. к ст. S-приборы.
Tabula Rasa
Ta'bula Ra'sa (латинский — гладкая, чистая доска для письма), термин сенсуализма, означающий состояние сознания человека, ещё не располагающего вследствие отсутствия внешнего чувств, опыта каким-либо знаниями (например, новорождённый). Термин «Т. R.», появившийся ещё в античной философии (у Платона, Аристотеля, в стоицизме), встречается в различных значениях у Альберта фон Больштедта, Фомы Аквинского и др. Т. Гоббс и П. Гассенди сравнивали человеческое сознание с доской, на которую опыт наносит свои знаки. Широкую известность термин получил после Дж. Локка, использовавшего его в своей критике теории врождённых идей (см. «Опыт о человеческом разуме», в книге: Избр. философские произведения, т. 1, М., 1960).