В 20 в. сохраняется многообразие видов Э. л. («Опавшие листья» В. В. Розанова и «Столп и утверждение истины» П. А. Флоренского, «Неизвестный друг» И. А. Бунина, и «Zoo. Письма не о любви...» В. Б. Шкловского, «Любовные письма англичанки» Л. Хаусмана, «Письмо к англичанам» Ж. Бернаноса), в том числе и оформленных в беллетристические жанры (повесть «Письмо к заложнику» А. Сент-Экзюпери, романы «Мартовские иды» Т. Уайлдера и «Перед зеркалом» В. Каверина). После 2-й мировой войны 1939—45 с расцветом документальной литературы, актуализируется значение письма как непосредственного, подлинного, лирически насыщенного свидетельства («Письма расстрелянных французских коммунистов», 1948).
Лит.: Античная эпистолография, М., 1967; Елистратова А. А., Эпистолярная проза романтиков, в кн.: Европейский романтизм, М., 1973; Black F. G., The epistolary novel in the late 18 century, Oregon, 1940; Singer G. F., The epistolary novel, Philadelphia, 1933.
В. С. Муравьев.
(обратно)Эпистрофей
Эпистрофе'й (от греч. epistrépho — поворачиваюсь, вращаюсь), второй шейный позвонок у пресмыкающихся, птиц, млекопитающих животных и у человека (у него называется также осевым позвонком). В отличие от других позвонков, на передней (у человека — верхней) поверхности тела имеет зубовидный отросток, вокруг которого вращается первый шейный позвонок — атлант .
(обратно)Эпитаксия
Эпитакси'я (от эпи... и греч. táxis — расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется эндотаксией. Э. наблюдается при кристаллизации из любых сред (пара, раствора, расплава); при коррозии и т. д. Э. определяется условиями сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Легче всего сопрягаются вещества, кристаллизирующиеся в одинаковых или близких структурных типах, например, гранецентрированного куба Ag и решётки типа NaCI, сфалерита и решётки типа алмаза .
Однако Э. можно получить и для резко различающихся структур, например решёток типа корунда и алмаза.
При описании Э. указываются плоскости срастания и направления в них: [112] (111) Si//[1100] (0001) Al2 O3 . Это означает, что грань (111) кристалла Si (решётка типа алмаза) нарастает параллельно грани (0001) кристалла Al2 O3 (решётка типа корунда), причём кристаллографическое направление [112] в нарастающем кристалле параллельно направлению [1100] подложки (см. Кристаллы ).
Э. особенно легко осуществляется, если разность постоянных обеих решёток не превышает 10%. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют т. н. дислокации несоответствия. Последние обычно образуют сетку, в которой можно регулировать плоскость дислокации, меняя периоды сопрягающихся решёток (например, изменяя состав вещества). Таким же путём можно управлять и количеством дислокаций нарастающего слоя.
Э. происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной. У веществ с близкими структурами и параметрами (например, Аи на Ag) образование границы сопряжения энергетически невыгодно и нарастающий слой имеет в точности структуру подложки (псевдоморфизм). С ростом толщины упруго напряжённой псевдоморфной плёнки запасённая в ней энергия растет и при толщинах, превышающих критическую (для Au на Ag это~ 600
Помимо структурно-геометрического соответствия, сопряжение данной пары веществ при Э. зависит от температуры процесса, степени пересыщения (переохлаждения) кристаллизующегося вещества в среде, от совершенства подложки, чистоты её поверхности и других условий кристаллизации. Для разных веществ и условий существует т. н. эпитаксиальная температура, ниже которой нарастает только неориентированная плёнка.
Процесс Э. обычно начинается с возникновения на подложке отдельных кристалликов, которые срастаясь (коалесцируя) друг с другом, образуют сплошную плёнку. На одной и той же подложке возможны разные типы нарастания, например [100] (100) Au//[100] (100) NaCl и [110] (111) Au //[110] (100) NaCl.