Ф. используется для воспроизведения с высокой точностью сложных художественных оригиналов (карандашные рисунки, фотографии, произведения масляной и акварельной живописи и т.п.), а также для иллюстрирования изданий, выпускаемых небольшими тиражами, но требующих большой точности воспроизведения иллюстраций. Широкому применению Ф. препятствует небольшая производительность.
Лит.: Рудомётов М. Д., Опыт систематического курса по графическим искусствам, т, 1, СПБ, 1898; Котик Р. А., Павленко Л., Соколов П., Об идентичности оттисков при фототипии, «Полиграфия», 1974, №6.
Р. А. Котик.
Микрофотографии участков печатной формы (до нанесения краски): а — темные участки; б — светлые участки; 1 — углубления между складками; 2 — 2 складки.
Микрофотографии участков печатной формы (после нанесения краски): а — темные участки; б — светлые участки; 1 — краска.
(обратно)Фототиристор
Фототири'стор, тиристор , перевод которого в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. При освещении Ф. в полупроводнике генерируются парные носители заряда (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем электронно-дырочных переходов (см. Фотоэдс ). В результате через р – n -переходы начинают протекать токи (фототоки), играющие роль токов управления.
Конструктивно Ф. представляет собой светочувствительный монокристалл с р–n–р–n -cтруктурой, обычно из кремния , расположенный на медном основании и закрытый герметичной крышкой с прозрачным для света окном. Наибольшее распространение получили конструкции с освещаемым n -эмиттером и с освещаемой р -базой.
Пригодные для управления Ф. источники излучения – электрические лампы накаливания, импульсные газоразрядные лампы, светоизлучательные диоды, квантовые генераторы и др. Величина светового потока, необходимого для перевода Ф. в состояние с высокой проводимостью, характеризует чувствительность прибора; она определяется спектральным составом излучения, коэффициентом отражения и поглощения монокристалла, а также заданными значениями электрических параметров Ф.: напряжением переключения, скоростью нарастания прямого напряжения и т.д.
Современные Ф. изготовляют на токи от нескольких ма до 500 а и напряжения от нескольких десятков в до 3 кв. Мощность управляющего светового излучения (при длине волны 0,9 мкм ) порядка 1–102 мвт. Ф. находят применение в различных устройствах автоматического управления и защиты, а также в мощных высоковольтных преобразовательных устройствах,
В. М. Курцин.
(обратно)Фототранзистор
Фототранзи'стор, транзистор (обычно биполярный), в котором инжекция неравновесных носителей осуществляется на основе фотоэффекта внутреннего ; служит для преобразования световых сигналов в электрические с одновременным усилением последних. Ф. представляет собой монокристаллическую полупроводниковую пластину из Ge или Si, в которой при помощи особых технологических приёмов созданы 3 области, называемые, как и в обычном транзисторе, эмиттером, коллектором и базой, причём последняя, в отличие от транзистора, как правило, вывода не имеет. Кристалл монтируется в защитный корпус с прозрачным входным окном. Включение Ф. во внешнюю электрическую цепь подобно включению биполярного транзистора, выполненному по схеме с общим эмиттером и нулевым током базы. При попадании света на базу (или коллектор) в ней образуются парные носители зарядов (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем коллекторного перехода. В результате в базовой области накапливаются основные носители, что приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного перехода и увеличению (усилению) тока через Ф. по сравнению с током, обусловленным переносом только тех носителей, которые образовались непосредственно под действием света.
Основными параметрами и характеристиками Ф., как и др. фотоэлектрических приборов (например, фотоэлемента , фотодиода ), являются: 1) интегральная чувствительность (отношение фототока к падающему световому потоку), у лучших образцов Ф. (например, изготовленных по диффузионной планарной технологии ) она достигает 10 а/лм ; 2) спектральная характеристика (зависимость чувствительности к монохроматическому излучению от длины волны этого излучения), позволяющая, в частности, установить длинноволновую границу применимости Ф.; эта граница (зависящая прежде всего от ширины запрещенной зоны полупроводникового материала) для германиевого Ф. составляет 1,7 мкм, для кремниевого – 1,1 мкм; 3) постоянная времени (характеризующая инерционность Ф.) не превышает нескольких сотен мксек. Кроме того, Ф. характеризуется коэффициентом усиления первоначального фототока, достигающим 102 –103 .