Для осуществления химического синтеза было предложено (1956) использовать осколки деления ядер 235U, возникающие в активной зоне ядерного реактора. Эти процессы были названы хемоядерными. Исследования и технологические расчёты показали, что принципиальных препятствий для реализации таких процессов нет. Однако технические трудности, состоящие главным образом в создании систем очистки продуктов от неизбежных в этом случае радиоактивных загрязнений, не позволили пока приступить к сооружению хотя бы опытно-промышленных хемоядерных установок.
Разработка промышленных Р.-х. п. привела к возникновению радиационно-химической технологии, главная задача которой — создание методов и устройств для экономичного осуществления Р.-х. п. в промышленном масштабе. Основным разделом радиационно-химической технологии является радиационно-химическое аппаратостроение, теоретические основы которого созданы во многом трудами сов. учёных.
Для проведения Р.-х. п. используются изотопные источники g-излучения, ускорители электронов с энергиями от 0,3 до 10 Мэв и ядерные реакторы. В современных изотопных источниках чаще всего используется 60Co. Перспективными источниками g-излучения считаются и радиационные контуры при ядерных реакторах, состоящие из генератора активности, облучателя радиационной установки, а также соединяющих их коммуникаций и устройств для перемещения по контуру рабочего вещества. В результате захвата нейтронов в генераторе, расположенном в активной зоне ядерного реактора или вблизи от неё, рабочее вещество активизируется, а g-излучение образовавшихся изотопов используется затем в облучателе для проведения Р.-х. п. Накопленный в СССР опыт позволяет создать промышленные радиационные контуры мощностью в несколько сотен квт.
Для облучения сравнительно тонких слоев материала наиболее эффективным оказывается применение ускоренных электронов, обеспечивающее ряд преимуществ: высокие мощности доз, лучшие для обслуживающего персонала условия радиационной безопасности, отсутствие в выключенном состоянии расхода энергии и т.д.
Лит.: Пшежецкий В. С., Радиационно-химические превращения полимеров, в книге: Краткая химическая энциклопедия, т. 4, М., 1965, с. 421—26; Основы радиационно-химического аппаратостроения, под общ. ред. А. Х, Бречера, М., 1967; «Журнал Всесоюзного химического общества им. Д. И. Менделеева», 1973, т. 18, № 3: Энциклопедия полимеров, т. 3, М. (в печати).
С. П. Соловьев, Е. А. Борисов.
(обратно)Радиационные дефекты в кристаллах
Радиацио'нные дефе'кты в криста'ллах, структурные повреждения, образующиеся при облучении кристаллов потоками ядерных частиц и жёстким электромагнитным (гамма- и рентгеновским) излучением. Структурные микроповреждения вызывают изменения механических и др. физических свойств кристаллов. Восстановление их свойств, т. е. уничтожение Р. д. в к., осуществляется при нагревании. Изучение Р. д. в к. началось в середине 40-х гг. с развитием реакторной техники. Впервые на возможность разрушения кристаллической решётки вследствие смещения атомов из их равновесных положений при взаимодействии с быстрыми нейтронами и осколками деления ядер указал Ю. Вигнер в 1942. Тогда же было высказано предположение о том, что такие смещения атомов должны сказываться на свойствах материалов.
Различают простые и сложные Р. д. в к. Простейшими являются междоузельный атом и вакансия (см. Дефекты в кристаллах). Такая пара образуется, когда ядерная частица сообщает атому, находящемуся в узле кристаллической решётки, энергию выше некоторой пороговой. Величина E0 зависит от вещества и равна нескольким десяткам эв. Этой энергии достаточно для разрыва межатомных связей и удаления атома на некоторое расстояние от узла кристаллической решётки. И вакансия, и междоузельный атом обладают высокой подвижностью даже при комнатной температуре. Встретившись в процессе миграции по кристаллу, они могут рекомбинировать, выйти на поверхность кристалла либо «закрепиться» на дефектах нерадиационного происхождения (примесных атомах, дислокациях, границах зёрен, микротрещинах и т.д.). Если энергия, приобретённая атомом, превышает в несколько десятков или сотен раз E0, то первично смещенный атом, взаимодействуя с «окружением», вызывает при движении по кристаллу каскад вторичных смещений.