Из процессов, в которых излучение инициирует нецепные реакции, широкое распространение получили Р.-х. п. «сшивания» отдельных макромолекул при облучении высокомолекулярного соединения. В результате «сшивания» (например, полиэтилена) происходит повышение его термостойкости и прочности, а для каучуков радиационное «сшивание» обеспечивает их вулканизацию. На этой основе разработаны Р.-х. п. производства упрочнённых и термостойких полимерных плёнок, кабельной изоляции, труб, вулканизации резинотехнических изделий и др. Особенно интересным является «эффект памяти» облученного полиэтилена. Если облученное изделие из полиэтилена деформировать при температурах выше tпл аморфной фазы полимера, то при последующем охлаждении оно сохранит приданную форму. Однако повторное нагревание возвращает первоначальную форму. Этот эффект даёт возможность получать термоусаживаемые упаковочные плёнки и электроизоляционные трубки.
Для осуществления химического синтеза было предложено (1956) использовать осколки деления ядер 235U, возникающие в активной зоне ядерного реактора. Эти процессы были названы хемоядерными. Исследования и технологические расчёты показали, что принципиальных препятствий для реализации таких процессов нет. Однако технические трудности, состоящие главным образом в создании систем очистки продуктов от неизбежных в этом случае радиоактивных загрязнений, не позволили пока приступить к сооружению хотя бы опытно-промышленных хемоядерных установок.
Разработка промышленных Р.-х. п. привела к возникновению радиационно-химической технологии, главная задача которой — создание методов и устройств для экономичного осуществления Р.-х. п. в промышленном масштабе. Основным разделом радиационно-химической технологии является радиационно-химическое аппаратостроение, теоретические основы которого созданы во многом трудами сов. учёных.
Для проведения Р.-х. п. используются изотопные источники g-излучения, ускорители электронов с энергиями от 0,3 до 10 Мэв и ядерные реакторы. В современных изотопных источниках чаще всего используется 60Co. Перспективными источниками g-излучения считаются и радиационные контуры при ядерных реакторах, состоящие из генератора активности, облучателя радиационной установки, а также соединяющих их коммуникаций и устройств для перемещения по контуру рабочего вещества. В результате захвата нейтронов в генераторе, расположенном в активной зоне ядерного реактора или вблизи от неё, рабочее вещество активизируется, а g-излучение образовавшихся изотопов используется затем в облучателе для проведения Р.-х. п. Накопленный в СССР опыт позволяет создать промышленные радиационные контуры мощностью в несколько сотен квт.
Для облучения сравнительно тонких слоев материала наиболее эффективным оказывается применение ускоренных электронов, обеспечивающее ряд преимуществ: высокие мощности доз, лучшие для обслуживающего персонала условия радиационной безопасности, отсутствие в выключенном состоянии расхода энергии и т.д.
Лит.: Пшежецкий В. С., Радиационно-химические превращения полимеров, в книге: Краткая химическая энциклопедия, т. 4, М., 1965, с. 421—26; Основы радиационно-химического аппаратостроения, под общ. ред. А. Х, Бречера, М., 1967; «Журнал Всесоюзного химического общества им. Д. И. Менделеева», 1973, т. 18, № 3: Энциклопедия полимеров, т. 3, М. (в печати).
С. П. Соловьев, Е. А. Борисов.
Радиационные дефекты в кристаллах
Радиацио'нные дефе'кты в криста'ллах, структурные повреждения, образующиеся при облучении кристаллов потоками ядерных частиц и жёстким электромагнитным (гамма- и рентгеновским) излучением. Структурные микроповреждения вызывают изменения механических и др. физических свойств кристаллов. Восстановление их свойств, т. е. уничтожение Р. д. в к., осуществляется при нагревании. Изучение Р. д. в к. началось в середине 40-х гг. с развитием реакторной техники. Впервые на возможность разрушения кристаллической решётки вследствие смещения атомов из их равновесных положений при взаимодействии с быстрыми нейтронами и осколками деления ядер указал Ю. Вигнер в 1942. Тогда же было высказано предположение о том, что такие смещения атомов должны сказываться на свойствах материалов.
Различают простые и сложные Р. д. в к. Простейшими являются междоузельный атом и вакансия (см. Дефекты в кристаллах). Такая пара образуется, когда ядерная частица сообщает атому, находящемуся в узле кристаллической решётки, энергию выше некоторой пороговой. Величина E зависит от вещества и равна нескольким десяткам эв. Этой энергии достаточно для разрыва межатомных связей и удаления атома на некоторое расстояние от узла кристаллической решётки. И вакансия, и междоузельный атом обладают высокой подвижностью даже при комнатной температуре. Встретившись в процессе миграции по кристаллу, они могут рекомбинировать, выйти на поверхность кристалла либо «закрепиться» на дефектах нерадиационного происхождения (примесных атомах, дислокациях, границах зёрен, микротрещинах и т.д.). Если энергия, приобретённая атомом, превышает в несколько десятков или сотен раз E, то первично смещенный атом, взаимодействуя с «окружением», вызывает при движении по кристаллу каскад вторичных смещений.
В результате слияния простых Р. д. в к. могут образоваться их скопления. Образование скоплений наиболее вероятно в тех случаях, когда облучение производится частицами высоких энергий, порождающими каскадные процессы. При этом даже небольшие первичные скопления могут служить «зародышами», на которых происходит накопление (конденсация) простых дефектов. Рост вакансионных скоплений превращает их в поры. Однако этот процесс не может происходить непрерывно: с одной стороны, он ограничен относительным уменьшением поверхности конденсации вакансий, с другой — условиями теплового равновесия. В металлах сферические поры неустойчивы, они сдавливаются в плоскости одного из наиболее плотных атомных слоев кристалла и образуют кольцевые дислокации.