В Советском Союзе и др. социалистических странах Т. с. не имеет широкого распространения и перевозки осуществляются преимущественно на основе линейного судоходства (см. Морские линии ).
(обратно)Тране Маркус
Тра'не (Thrane) Маркус (14.10.1817, Кристиания, ныне Осло, — 30.4.1890, О-Клэр, Висконсин, США), один из зачинателей норвежского рабочего движения. Родился в семье торговца. По профессии журналист. Находясь во Франции и Германии, испытал влияние утопического социализма (особенно А. Сен-Симона , В. Вейтлинга). В 1848—50 ездил по Норвегии, организуя рабочие объединения, развернувшие массовое движение (см. Транитариев движение 1848—51 ). Т. выступал за введение всеобщего избирательного права и всеобщей воинской повинности, улучшение положения хусменов (батраков с наделом), отмену ввозных пошлин, демократизацию суда и школы. Выдвигал идеи нравственные усовершенствования в духе христианского социализма. В 1851 был арестован властями и осужден на 4 года тюремного заключения. В 1863 эмигрировал в США, где сотрудничал в местной скандинавской рабочей печати.
Соч.: Marcus Thrane og thraniterbeve-gelsen, Oslo, [1949].
Лит.: Nissen В. A., Thrane, в кн.: Norsk biografisk leksikon, bd 16, Oslo, 1949; Björklund O., Marcus Thrane, [Oslo], 1951.
А. С. Кан.
(обратно)Транзистор
Транзи'стор (от англ. transfer — переносить и resistor — сопротивление), электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в 1948 У. Шокли , У. Браттейном и Дж. Бардином (Нобелевская премия, 1956). Т. составляют два основных крупных класса: униполярные Т. и биполярные Т.
В униполярных Т. протекание тока через кристалл обусловлено носителями заряда только одного знака — электронами или дырками (см. Полупроводники ). Подробно об униполярных Т. см. в ст. Полевой транзистор .
В биполярных Т. (которые обычно называют просто Т.) ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих знаков. Такой Т. представляет собой (рис. 1 ) монокристаллическую полупроводниковую пластину, в которой с помощью особых технологических приёмов созданы 3 области с разной проводимостью: дырочной (p ) и электронной (n ). В зависимости от порядка их чередования различают Т. p—n—p -типа и n—p—n -типа. Средняя область (её обычно делают очень тонкой) — порядка нескольких мкм , называется базой, две другие — эмиттером и коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора электронно-дырочными переходами (р—n -переходами): эмиттерным (ЭП) и коллекторным (КП). От базы, эмиттера и коллектора сделаны металлические выводы.
Рассмотрим физические процессы, происходящие в Т., на примере Т. n—p—n -типа (рис. 1 , а). К ЭП прикладывают напряжение U бэ , которое понижает потенциальный барьер перехода и тем самым уменьшает его сопротивление электрическому току (то есть ЭП включают в направлении пропускания электрического тока, или в прямом направлении), а к КП — напряжение U kб , повышающее потенциальный барьер перехода и увеличивающее его сопротивление (КП включают в направлении запирания или в обратном направлении). Под действием напряжения U бэ через ЭП течёт ток i э , который обусловлен главным образом перемещением (инжекцией) электронов из эмиттера в базу. Проникая сквозь базу в область КП, электроны захватываются его полем и втягиваются в коллектор. При этом через КП течёт коллекторный ток i k . Однако не все инжектированные электроны достигают КП: часть их по пути рекомбинирует с основными носителями в базе — дырками (число рекомбинировавших электронов тем меньше, чем меньше толщина базы и концентрация дырок в ней). Так как в установившемся режиме количество дырок в базе постоянно, то это означает, что часть электронов уходит из базы в цепь ЭП, образуя ток базы i б таким образом, i э = i k + i б . Обычно i б << i k , поэтому i k » i э и Di k » Di э . Величина a = Di k /Di э называется коэффициентом передачи тока (иногда — коэффициентом усиления по току), зависит от толщины базы и параметров полупроводникового материала базы и для большинства Т. близка к 1. Всякое изменение U бэ вызывает изменение i э (в соответствии с вольтамперной характеристикой p—n -перехода) и, следовательно, i k . Сопротивление КП велико, поэтому сопротивление нагрузки R н в цепи КП можно выбрать достаточно большим, и тогда Di k будет вызывать значительные изменение напряжения на нём. В результате на R н можно получать электрические сигналы, мощность которых будет во много раз превосходить мощность, затраченную в цепи ЭП. Подобные же физические процессы происходят и в Т. р —n —p-типа (рис. 1 , б), но в нём электроны и дырки меняются ролями, а полярности приложенных напряжений должны быть изменены на обратные. Эмиттер в Т. может выполнять функции коллектора, а коллектор — эмиттера (в симметричных Т.), для этого достаточно изменить полярность соответствующих напряжений.