По этой же причине как можно больше должна быть емкость конденсатора С (падение напряжения высокой частоты на емкостном сопротивлении будет малым). Однако, с другой стороны, излишне большая емкость конденсатора С приводит к тому, что изменения выпрямленного напряжения не успевают за изменениями модулирующего сигнала, что является источником искажений. В связи с этим принимаются компромиссные значения этих элементов в соответствии с соотношением
где ω — несущая частота; Ω — наивысшая модулирующая частота.
В детекторе радиовещательного сигнала сопротивление резистора R обычно лежит в пределах 0,5–1 МОм, а емкость конденсатора С составляет около 100 пФ, тогда как в широкополосном телевизионном детекторе сопротивление R около 2–4 кОм при шунтирующей емкости около 10 пФ. Очевидно, что во втором случае КПД детектирования меньше.
Может ли полевой транзистор работать как амплитудный детектор?
Да. Полевой транзистор в схеме па рис. 11.11, а работает в качестве амплитудного детектора, если сопротивление резистора Ru около 100 кОм и даже 1 МОм. Столь высокое сопротивление приводит к тому, что рабочая точка лежит достаточно близко к точке отсечки тока стока. Если на затвор транзистора подать амплитудно-модулированный сигнал, то ток стока будет протекать в виде импульсов, амплитуда которых определяется огибающей модуляции (рис. 11.11, б). Средний ток стока будет изменяться в соответствии с изменением модулирующего сигнала.
При больших амплитудах модулированного ВЧ сигнала условия работы детектора приближаются к условиям работы линейного диодного детектора. Дополнительным преимуществом является усиление демодулированного сигнала.
Детектор на полевом транзисторе является эквивалентом лампового детектора, работающего в схеме сеточного детектирования, принцип которого идентичен принципу описанного выше детектора.
Рис. 11.11. Схема (а) и формы колебаний (б) в амплитудном детекторе на полевом транзисторе
Как работает сеточный детектор
Схема сеточного детектора представлена на рис. 11.12. В детекторе этого типа выпрямление происходит в цепи сетки, причем сетка и катод действуют в качестве диодного детектора, сопротивлением нагрузки которого является цепочка RсCс. Постоянная времени подобрана таким образом, что напряжение смещения лампы, возникающее в результате протекания тока сетки, изменяется в соответствии с изменением огибающей модуляции.
Полученное в результате детектирования напряжение с частотой модулирующего сигнала усиливается в анодной цепи лампы, поэтому сеточное детектирование характеризуется высокой чувствительностью.
Рис. 11.12. Схема сеточного детектора RсCс
Каковы основные черты частотной модуляции?
При частотной модуляции модулирующий сигнал не изменяет амплитуды несущего колебания, а вызывает лишь изменение его мгновенной частоты (рис. 11.13). Мгновенное значение несущей частоты зависит от амплитуды модулирующего сигнала, тогда как скорость, с которой происходят изменения несущей частоты, определяется частотой модулирующего сигнала. Предположим, что несущая частота составляет 50 МГц, а амплитуда синусоидального модулирующего сигнала равна 1 В. Допустим далее, что под влиянием положительного модулирующего напряжения частота возрастает максимально до 50,1 МГц, а под влиянием максимального отрицательного — убывает до 49,9 МГц.
В каждом периоде модулирующего сигнала мгновенное значение частоты изменяется в пределах 49,9—50,1 МГц такое количество раз в секунду, какова частота модулирующего колебания. Если бы амплитуда модулирующего напряжения составляла 2 В, частота несущего колебания изменялась бы в пределах 49,8—50,2 МГц.
Рис. 11.13. Формы колебаний при частотной модуляции: