A1 — ядро первого атома.
A2 — ядро второго атома.
LА1 — уровень собственной мерности первого атома.
LА2 — уровень собственной мерности второго атома.
ΔL — перепад между уровнями собственной мерности двух разных атомов.
Рис.3.3.11.
Рис.3.3.11. Возможность для атомов, имеющих разные уровни собственной мерности, образовывать молекулы появляется при поглощении или излучении одним из них электромагнитных волн, длина волны которых соизмерима с расстоянием между этими атомами. Данным требованиям отвечают волны из диапазона от инфракрасных до ультрафиолетовых, включительно. При поглощении одним из атомов волны, его уровень собственной мерности увеличивается на величину амплитуды волны. При излучении волны уровень собственной мерности соответственно уменьшается на величину амплитуды излучаемой волны. В результате, собственные уровни разных атомов A1 и A2 выравниваются, и они в состоянии образовать новую молекулу. Весь спектр химических соединений, существующих в природе, включая и органические, существует, благодаря небольшому участку — диазону так называемых электромагнитных волн. Следовательно, появление живой материи невозможно без этих незначительных колебаний мерности микропространства — электромагнитных волн от инфракрасных до ультрафиолетовых.
Рис. 3.3.12.
Рис.3.3.12. Атомы одного и того же элемента имеют одинаковые оптимальные уровни собственной мерности. Поэтому если среда, где они находятся не насыщена чрезмерно инфракрасными (тепловыми) излучениями, через некоторое время, эти атомы соберутся на уровне оптимальной мерности, что создаёт качественные условия для соединения их электронных оболочек между собой и образования кристаллической структуры. При этом говорят о температуре среды, при которой происходит кристаллизация. Для атомов разных элементов эта температура своя, так же, как и после завершения процесса кристаллизации кристаллы разных элементов будут иметь разные уровни собственной мерности, и между ними будет существовать перепад мерности ΔL.
A1 — ядра атомов первого элемента.
A2 — ядра атомов второго элемента.
L1 — уровень мерности кристалла первого элемента.
L2 — уровень мерности кристалла второго элемента.
ΔL — перепад между уровнями собственной мерности двух разных элементов.
Рис. 3.3.13.
Рис.3.3.13. Кристаллические структуры разных элементов имеют разные уровни собственной мерности. И если поместить эти кристаллические структуры на расстоянии, соизмеримом с размерами самих кристаллов, в промежуточном пространстве возникнет перепад мерности (градиент) от уровня кристаллической структуры большей собственной мерности к уровню с меньшей. Этот перепад не столь значительный, чтобы вызвать неустойчивость атомов, образующих эти кристаллические структуры, но, если между ними поместить жидкую среду, насыщенную положительными и отрицательными ионами, перепад между кристаллическими структурами заставит двигаться свободные ионы в разных направлениях.
При этом положительные ионы, имеющие более высокий уровень собственной мерности, под воздействием этого перепада начнут скапливаться на поверхности кристаллической структуры с большим уровнем собственной мерности, в то время, как отрицательные ионы с меньшим уровнем собственной мерности — на поверхности с меньшим уровнем собственной мерности. Избыток положительных ионов на одной поверхности позволяет говорить о положительном заряде, в то время, как избыток отрицательных ионов — об отрицательном заряде поверхностей. Наличие перепада уровней собственной мерности между разными кристаллическими поверхностями вызывает перераспределение ионов, насыщающих промежуточную среду и приводит к появлению, так называемого, постоянного электрического тока между этими поверхностями, если соединить их между собой посредством проводника.
1. Кристаллическая поверхность с меньшим уровнем собственной мерности.
2. Кристаллическая поверхность с большим уровнем собственной мерности.
3. Промежуточная жидкая среда насыщенная ионами.
4. Положительные ионы.
5. Отрицательные ионы.
L1 — уровень мерности кристалла первого элемента.