Нередко в микрофонных усилителях в эмиттерной цепи транзистора VТ1 вместо одного резистора используется цепочка, состоящая из двух включенных последовательно резисторов. Принципиальная схема такого усилителя, выполненного на n-p-n транзисторе, приведена на рис. 2.7. В данном случае в эмиттерной цепи транзистора VТ1 последовательно включены резисторы R4 и R5. При этом положительный (верхний по схеме) вывод конденсатора С3 подключается к точке их соединения.
Рис. 2.7. Принципиальная схема микрофонного усилителя с разделенным сопротивлением в цепи эмиттера транзистора
В рассматриваемой конструкции в работе схемы стабилизации рабочей точки транзистора VТ1 участвуют оба резистора. В то же время по высокой частоте блокирован лишь резистор R5, а резистор R4 обеспечивает отрицательную обратную связь по току.
Коэффициент усиления данного микрофонного усилителя зависит от величин сопротивлений резисторов R4 и R5, его значение может изменяться от 3 до 100. Например, при R4 = 1,5 Ом и R5 = 1,2 кОм коэффициент усиления будет составлять 100 при входном сопротивлении RВХ = 3,5 кОм. При увеличении сопротивления резистора R4 до 56 Ом коэффициент усиления рассматриваемого каскада будет равен 30, а входное сопротивление RВХ возрастет до 4 кОм. При R4 = 220 Ом и R5 = 1 кОм коэффициент усиления снизится до 10 при RВХ = 6 кОм. Дальнейшее увеличение сопротивления резистора R4 до 680 Ом при уменьшении сопротивления резистора R5 до величины 470 Ом приведет к снижению коэффициента усиления данного каскада до 3, при этом входное сопротивление RВХ возрастет до 7 кОм. Значения выходного сопротивления данного усилителя при указанных значениях сопротивлений резисторов R4 и R5 неизменны и составляют 2 кОм.
Необходимо отметить, что данный усилительный каскад вполне надежно работает при снижении напряжения питания до 6 В.
В микрофонных усилителях миниатюрных радиопередающих устройств широко применяются и другие схемотехнические решения, обеспечивающие стабилизацию рабочей точки транзистора. Довольно часто используется усилительный каскад со стабилизацией рабочей точки транзистора с помощью цепи отрицательной обратной связи по напряжению. При этом резистор ООС подключается между коллектором и базой транзистора VT1. Принципиальная схема микрофонного усилителя со стабилизацией рабочей точки транзистора с помощью цепи ООС по напряжению приведена на рис. 2.8.
Рис. 2.8. Принципиальная схема микрофонного усилителя со стабилизацией рабочей точки транзистора с помощью цепи ООС по напряжению
Если по каким-либо причинам произойдет увеличение коллекторного тока транзистора VT1, то одновременно увеличится и падение напряжения на резисторе R3, что приведет к соответствующему уменьшению напряжения на коллекторе транзистора VT1. В результате уменьшится и напряжение, подаваемое на базу транзистора через резистор R2. Ток, протекающий через переход база-эмиттер, станет меньше, соответственно уменьшится и коллекторный ток транзистора. Аналогичным образом, при уменьшении коллекторного тока транзистора VT1 одновременно уменьшится и падение напряжения на резисторе R3, что приведет к соответствующему увеличению напряжения на коллекторе транзистора. В результате увеличится напряжение, подаваемое на базу транзистора VT1 через резистор R2. Ток, протекающий через переход база-эмиттер, станет больше, соответственно увеличится и коллекторный ток транзистора.
Как и в рассмотренных ранее конструкциях для получения максимальной амплитуды неискаженного усиленного сигнала на выходе микрофонного усилителя необходимо, чтобы напряжение на коллекторе транзистора VT1 составляло примерно половину от величины напряжения питания каскада. Соотношение коллекторного и базового токов выражает коэффициент усиления транзистора по току. Значение тока базы транзистора VT1 определяется величиной сопротивления резистора R2. Таким образом, падение напряжения на резисторе R2 также должно быть равно половине величины напряжения питания каскада за вычетом напряжения на переходе база-эмиттер транзистора VT1.
При сравнительно больших напряжениях питания (от 3 В до 12 В и выше) падением напряжения на переходе база-эмиттер транзистора можно пренебречь. В этом случае величина сопротивления резистора R2 может быть рассчитана как произведение величины сопротивления резистора R3 и коэффициента усиления транзистора VT1 по току. На практике рекомендуется выбирать величину сопротивления резистора R2 немного меньше расчетной. При напряжении питания усилителя в пределах от 1 В до 3 В пренебрегать падением напряжения на переходе база-эмиттер не следует, потому сопротивление резистора R2 необходимо уменьшить.