Программирование масочного ПЗУ производится на заводе — изготовителе микросхем в процессе последнего этапа изготовления микросхемы — металлизации. Масочные ПЗУ широко применяются при крупносерийном производстве, т. к. являются самым дешевым видом ПЗУ. Однако использование подобных ПЗУ очень неудобно для мелко- и среднесерийного производства, не говоря уже о стадии разработки устройства, когда требуется многократная запись промежуточных вариантов программы. Для подобных вариантов применения были разработаны микросхемы, которые можно однократно программировать не на заводе — изготовителе микросхем, а в специальных устройствах — программаторах. В этих микросхемах ПЗУ постоянное соединение проводников в запоминающей матрице заменяется плавкими перемычками, изготовленными из поликристаллического кремния. Так как внутренняя схема такой микросхемы такая же, как у масочного ПЗУ, то для иллюстрации внутреннего устройства этой схемы можно воспользоваться рис. 3.5, предполагая при этом, что во всех точках пересечения вертикальных и горизонтальных проводников находятся плавкие поликремниевые перемычки.
При производстве микросхемы изготавливаются все перемычки, что эквивалентно записи во все ячейки памяти логических единиц. В процессе программирования на выводы питания и выходы микросхемы подается повышенное напряжение или низкий потенциал. При этом если на выход микросхемы подается повышенное напряжение питания (логическая единица), то через перемычку ток протекать не будет, и она останется неповрежденной. Если же на выход микросхемы в режиме программирования подать низкий уровень напряжения (присоединить к общему проводу), то через перемычку будет протекать ток, который испарит ее, и при последующем считывании информации из этой ячейки будет считываться логический ноль.
Микросхемы, работающие по такому принципу, называются (однократно) программируемыми ПЗУ (ППЗУ) и изображаются на схемах в виде условного графического обозначения, показанного на рис. 3.6. Надпись PROM в центральной части микросхемы является сокращением от английских слов programmable read-only memory (программируемая память, доступная только для чтения). В качестве примера таких ПЗУ можно назвать отечественные микросхемы 155РЕЗ, 556РТ4, 556РТ8.
Рис. 3.6. Условное графическое обозначение однократно программируемого постоянного запоминающего устройства
Однократно программируемые ПЗУ оказались очень удобными при мелко- и среднесерийном производстве, однако при разработке радиоэлектронных устройств часто приходится менять записываемую в ПЗУ программу. ППЗУ невозможно использовать повторно, поэтому при необходимости изменить содержимое памяти, записанное ППЗУ приходится выкидывать, что естественно повышает стоимость разработки аппаратуры. Для устранения этого недостатка был разработан еще один вид ПЗУ, содержимое которого могло бы стираться и программироваться многократно.
Примером такого устройства является ПЗУ с ультрафиолетовым или электрическим стиранием, которое строится на основе матрицы запоминающих элементов, внутреннее устройство одного из которых приведено на рис. 3.7.
Рис. 3.7. Запоминающий элемент ПЗУ с ультрафиолетовым и электрическим стиранием
Ячейка представляет собой МОП-транзистор, в котором затвор выполняется из поликристаллического кремния. Затем в процессе изготовления микросхемы этот затвор окисляется и в результате он оказывается окруженным оксидом кремния — диэлектриком с прекрасными изолирующими свойствами. Из-за того, что затвор со всех сторон окружен диэлектриком, он как бы плавает внутри диэлектрика, поэтому его называют плавающим затвором.
В описанной ячейке при полностью стертом ПЗУ заряда в плавающем затворе нет, и поэтому транзистор ток не проводит. При программировании микросхемы на программирующий электрод, находящийся над плавающим затвором, подается высокое напряжение и в последнем за счет туннельного эффекта индуцируются заряды. После снятия программирующего напряжения на плавающем затворе индуцированный заряд сохраняется и, следовательно, транзистор остается в проводящем состоянии. Заряд на плавающем затворе может храниться десятки лет.
Структурная схема постоянного запоминающего устройства не отличается от описанного ранее масочного ПЗУ. Единственное отличие — это использование описанной выше ячейки вместо плавкой поликремниевой перемычки. Такой вид ПЗУ в отечественной литературе получил название «репрограммируемые ПЗУ» (РПЗУ).