Рис. 3.37. Временная диаграмма записи в динамическое ОЗУ в режиме FPM
Еще одним способом увеличения быстродействия ОЗУ является применение микросхем EDO (Extended Data Out — ОЗУ с расширенным выходом данных). В EDO ОЗУ усилители-регенераторы не сбрасываются по окончанию строба CAS#, поэтому времени для считывания данных в таком режиме больше. Теперь для того чтобы сохранить время считывания на прежнем уровне, можно увеличить тактовую частоту системной шины и тем самым увеличить быстродействие компьютера. Для EDO ОЗУ цикл обращения к динамической памяти можно записать как 5-2-2-2.
Следующим шагом в развитии схем динамического ОЗУ было применение в составе ОЗУ счетчика столбцов. То есть при переходе адреса ячейки к следующему столбцу запоминающей матрицы адрес столбца инкрементируется (увеличивается) автоматически. Такое ОЗУ получило название BEDO (ОЗУ с пакетным доступом). В этом типе ОЗУ удалось достигнуть режима обращения к динамической памяти 5-1-1-1.
В синхронном динамическом ОЗУ (SDRAM) увеличение быстродействия получается за счет применения конвейерной обработки сигнала. Как известно, при использовании конвейера можно разделить операцию считывания или записи на отдельные подоперации, такие как выборка строк, выборка столбцов, считывание ячеек памяти, и производить эти операции одновременно. При этом пока на выход передается считанная ранее информация, производится дешифрация столбца для текущей ячейки памяти и производится дешифрация строки для следующей ячейки памяти. Этот процесс иллюстрируется рис. 3.38, а.
Из приведенного рисунка видно, что, несмотря на увеличение времени доступа к ОЗУ при считывании одной ячейки памяти, при считывании нескольких соседних ячеек памяти общее быстродействие микросхем синхронного динамического ОЗУ возрастает. Для сравнения на рис. 3.38, б приведена структурная схема обычного динамического ОЗУ.
Рис. 3.38. Структурная схема конвейерной обработки данных
Время задержки распространения сигнала tз в этой схеме равно периоду тактового сигнала в шине обращения к ОЗУ и определяется по формуле:
tз = tCT + tDC+ tЗМ,
где tCT — это время срабатывания счетчика адреса динамического ОЗУ; tDC — это время распространения сигнала дешифратора адреса; tЗМ — это время появления сигнала на выходе запоминающей матрицы.
Время задержки распространения сигнала в схеме синхронного динамического ОЗУ можно определить по формуле:
tз = tCT + tDC + tRG + tЗМ + tRG,
где tRG — это записи в параллельный регистр.
Таким образом, время доступа к синхронному динамическому ОЗУ больше, чем к обычному динамическому ОЗУ. Однако период тактового сигнала можно значительно уменьшить, т. к. он будет определяться максимальным из времен:
Поэтому, несмотря на то, что при обращении к одиночной ячейке памяти время доступа к SDRAM возрастает, при пакетном считывании последовательно расположенных байт общее время считывания оказывается значительно меньшим, т. к. все последующие данные на выходе ОЗУ будут появляться с периодом tобр. Выигрыш при пакетной работе SDRAM может быть достаточно большим, т. к. при обращении к этому типу памяти допустимо устанавливать размер пакета данных равным 256 слов.
На этом закончим рассмотрение различных видов памяти микропроцессорных устройств. Полученных знаний вполне достаточно для продолжения изложения материала. Если же кому-либо захочется более подробно ознакомиться с устройствами запоминания информации, можно обратиться к специализированной литературе [1, 3, 5–7].
В данной главе были рассмотрены различные устройства хранения данных. Используя сумматоры, рассмотренные в предыдущей главе и запоминающие устройства, рассмотренные в этой главе, уже можно построить устройство обработки данных, входящее в состав любого микропроцессора.