Пора нам открыто заявить, что система финансирования научных исследований с помощью грантов, к которой у нас относятся с таким пиететом, не обеспечивает ни формирования научного сообщества, ни воспроизводства научных кадров, ни необходимой состязательности в исследовательской работе, а сама процедура их предоставления еще намного менее совершенна, чем традиционные защиты диссертаций. Эта система столь же чудовищно неадекватна сущности фундаментальных исследований, сколь централизованное планирование неадекватно современной экономике.
Методы, прекрасно зарекомендовавшие себя в организации материального (в смысле финансовом, а не вещественно-энергетическом) производства, совершенно бездумно применяются для организации производства духовного, где вообще не применимы финансовые критерии успеха. Совершенно подобно тому, как компании борются за заказы, ученым предоставляется бороться за гранты. Между тем ни в «Боинге», ни в «Дженерал электрик» те, кто занят в НИОКР, не занимаются маркетингом или пиаром. Для этого есть другие люди. Американские же ученые, даже не занимающие руководящих должностей, фактически становятся коммивояжерами при своих темах и тратят на добывание грантов половину своего времени. Это, по собственным словам, на самом деле, скорее всего еще больше.
Рассматриваемая проблема – вовсе не частность, а фундаментальная составляющая нашей культуры, с которой связано и будущее страны. Наше научное наследие – не только выдающиеся открытия, но и демократический дух российской науки, всегда вызывавший восхищение зарубежных ученых. Некритически копируя западные образцы, причем вовсе не те, что действительно достойны подражания, мы отказываемся от поисков более эффективных решений, которые могли бы стать нашим собственным вкладом в развитие цивилизации.
Западная цивилизация- возникла и возмужала благодаря великому принципу личной свободы, соединенной с личной ответственностью. Именно он выделяет человека из массы, и именно с его укоренением в любезном отечестве мы связываем наши надежды на лучшее будущее. Но нелепо столетие за столетием продолжать держаться примитивной линейной модели развития цивилизации и считать, что наше дело – догонять, пока не догоним, особо не разбираясь, в чем именно. Мы тоже готовы считать, что в ущербе здоровью от курения повинны производители сигарет, а в убийствах – производители оружия? Мы готовы завалить наши суды миллиардными исками к производителям кухонных ножей и утюгов? У нас ведь большинство убийств совершается на бытовой почве. Нам было бы правильней признать за широчайшими народными массами цивилизованных стран их законное право на заблуждение, а самим не отделять свободу от ответственности и не готовить последнюю к передаче в музей, подобно штандарту ушедшего в отставку президента.
То, что могут себе позволить богатые и стабильные страны Запада, не может позволить себе Россия. В наших условиях масштабные проявления восстания масс могут стать национальной катастрофой. За примерами не надо ходить далеко. Весной и летом 1998 года рельсовая война шахтеров, добившихся от правительства оплаты чужих долгов и даже вообще не добытого угля, была одним из важнейших факторов экономической катастрофы 17 августа, и дело даже не только в прямых потерях бюджета. Кто станет кредитовать такое правительство? Мягкое, в лучших европейских традициях отношение правительства к шахтерам обернулось тяжелейшим ударом для всего населения страны, а ведь можно представить себе реакцию на Западе, если бы сильное правительство решилось прогнать шахтеров с путей, а кое-кого и отдать под суд. С тех пор народ наш повзрослел и поумнел. Он сделал свой выбор. Но нам нужно не только сильное государство, нужна такая интеллектуальная элита, которая будет не угождать массам, а вести их за собой. Вот воистину масштабный проект для XXI века.
Российский курьер
Нобелевская премия 2000 года по физике присуждена академику Жоресу Ивановичу Алферову за исследования физики гетеропереходов, которые привели к созданию новых приборов микроэлектроники, высокочастотной техники и оптоэлектроники. Одновременно она присуждена Г. Кремеру из Калифорнийского университета и Дж. Килби из фирмы Texas Instruments.
Знание – сила, или Как понимание физики изменяет жизнь людей
Интервью с профессором Александром Юновичем (физический факультет МГУ имени М. В. Ломоносова)
Для понимания сути открытия, сделанного Ж.И. Алферовым, мы обратимся к истории.
Германиевые, а потом и кремниевые диоды и транзисторы были созданы на основе р-n-переходов, то есть границ областей с электронным (n-) и дырочным (р-) типом проводимости, созданных водном и том же полупроводнике путем внесения разных примесей. Ток через эти границы определяется проникновением носителей токов обоих знаков: электронов из n-области в p-область и дырок из p-области в п-область. Выделяемая при этом энергия превращается в германии и кремнии главным образом в тепло.
Законы протекания тока в р-n- переходах были поняты в конце сороковых годов; они стали основой изобретения транзистора (Нобелевская премия В. Шокли, Дж. Бардина, У. Браттейна). Исследователи предсказали открытию и прибору большое будущее и не ошиблись. Сегодня это вычислительная техника, связь, электротехника, автоматизация производства и информационные технологии, то есть все то, что определяет высокую производительность труда, а в конечном счете – экономическое развитие человеческого общества.
По мере развития физики полупроводниковых материалов появилась возможность создать в полупроводнике неоднородность иного вида – неоднородность состава. Границу между двумя полупроводниками с разным составом называют гетеропереходом, то есть неоднородным (по составу) переходом. В такой ситуации потенциальные барьеры для электронов и дырок в гетеропереходах отличаются друг от друга, и при приложении внешнего напряжения ток может определяться проникновением через границу частиц только одного знака, например, электронов.
Реализовать эти эффекты и их следствия удалось прежде всего в полупроводниках на основе соединений элементов III и V групп, например, в арсенида галлия, GaAs. В этих полупроводниках при рекомбинации возбужденных электронно-дырочных пар энергия возбуждения передается в основном квантам света – происходит излучательная рекомбинация. Поэтому развитие физики и технологии гетеропереходов оказалось наиболее важным для приборов оптоэлектроники – для светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников.
Первые патенты на гетеропереходы был получены тем же В. Шокли, а затем Г. Кремером, которые исследовали эту ситуацию в пятидесятые годы теоретически. В начале шестидестых годов в Физико- техническом институте имени А.Ф. Иоффе (ФТИ) была выпущена монография Н.Н. Губанова по теории гетеропереходов. Тогда многие полагали, что физика гетеропереходов останется на уровне идей, что реализовать работающие гетеропереходы не удастся, потому что на границе двух полупроводников с разным составом будет сильно искажаться решетка, будут накапливаться примеси и не будет осуществляться одностороннее проникновение носителей тока через переход.
Тем не менее Ж.И. Алферов начал исследования гетеропереходов на основе соединений элементов III и V групп. Первые попытки оказались неудачными. Тогда были поставлены исследования гетеропереходов системы GaAs- GaAlAs. В этой системе на границе намного меньше искажения ионной решетки, от правильности которой зависит эффективность работы приборов. Была разработана технология выращивания из жидкой фазы, и удалось вырастить идеальные гетеропереходы этой системы. Из них оказалось возможным сделать и полупроводниковые лазеры, и светодиоды. Эти исследования были выполнены на два-три года раньше соответствующих американских и европейских работ (японские исследователи тогда еще не лидировали в научно-технической гонке).